МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ



       

СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ УСТРОЙСТВ - часть 7


Серия 249 состоит из одной микросхемы 2КЭ491, выпускаемой в четырех модификациях (А — Г). Микросхема содержит два опто-электронных ключа (рис. 2.20,а). Каждый из ключей состоит из светодиода и фототранзистора. Особенности таких устройств — гальваническая развязка входной и выходной цепей и однонаправленность передачи сигналов. Для подобных оптоэлектронных ключей характерно сопротивление изоляции, превышающее 108 — 1014 Ом. Практически идеальная развязка обеспечивает ряд воз­можностей, не реализуемых в чисто электронных устройствах. Например, с помощью низких напряжений можно управлять вы­соковольтными цепями, можно связать цепи, работающие из раз-личных частотах, и т. д. Применение оптоэлектронных ключей способствует значительному улучшению помехозащищенности устройств, так как оптические связи разрывают цепи проникно­вения помех. Еще одно достоинство оптоэлектронных ключей — возможность их совместной работы практически со всеми логиче­скими микросхемами.

Ключ на микросхеме 2КЭ491 может работать на двухпровод­ную линию (в режиме «оторванной» базы). Если необходимо обес­печить высокое быстродействие, такой режим неприемлем и це­лесообразно включить резистор параллельно эмиттерному переходу.

Это приведет к уменьшению времени рассасывания заряда в базе фототранзистора при выходе из режима насыщения. Например, подключение резистора с сопротивлением 3,9 кОм сокращает время выключения вдвое.

Коэффициент передачи тока любого из ключей не менее 0,5 для микросхем модификаций А и В и не менее 0,3 для микросхем Модификаций Б и Г.

Рис. 2.20. Оптоэлектронный ключ (а) и зависимости его па­раметров от температуры (б)

Время нарастания и спада с учетом времени задержки не бо­лее 3 мкс при нагрузке 100 Ом. Напряжение насыщения фото­транзистора не более 0,3 В при коллекторном токе 3 мА для ми­кросхем модификаций А и В и при коллекторном токе 2 мА—для остальных. Напряжение на светодиоде 1,1 — 1,3 В при прямом токе 10 мА. Проходная емкость менее 5 пФ.


Содержание  Назад  Вперед