МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


МИКРОСХЕМЫ ПОВЫШЕННОГО УРОВНЯ ИНТЕГРАЦИИ - часть 3


Бескорпусные микросхемы по сравнению с их ана­логами в корпусах меньше по объему и массе примерно в 70 раз и по занимаемой площади в 30 раз. Устанавливают их на много­слойную подложку, иногда называемую коммутационной платой. Соединения наносят либо по тонкопленочной, либо по толстопленоч­ной технологии. Гибридная технология получила широкое распро­странение для изготовления микросхем повышенной степени инте­грации благодаря сравнительно низкой стоимости проектирования и изготовления микросхем малой степени интеграции, хорошо отрабо­танному технологическому процессу и высокому проценту выхода годных изделий.

Другое направление в разработке и производстве микросхем повышенной степени интеграции использует полупроводниковую тех­нологию. Все элементы изготавливают в объеме полупроводниковой пластины и затем соединяют в требуемую схему с помощью тонких проводящих пленочных полосок, нанесенных на поверхность окис­ленной пластины. Межсоединения выполняют обычно по методу избирательного монтажа, при котором предварительно осуществляют на каждой пластине проверку годности элементов, после чего с по­мощью ЭВМ составляют схему межсоединений и затем только осу­ществляют межсоединения.

Полупроводниковые микросхемы повышенной степени интегра­ции изготавливают главным образом на основе МДП-транзисторов. Это объясняется их преимуществами перед микросхемами на бипо­лярных транзисторах: втрое меньшим числом технологических опе­раций и на порядок большей плотностью размещения элементов на подложке.

Однако по быстродействию они уступают микросхемам на би­полярных транзисторах. Поэтому основную область их применения составляет аппаратура сравнительно невысокого быстродействия.

 




Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин