МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


МИКРОСХЕМЫ ПОВЫШЕННОГО УРОВНЯ ИНТЕГРАЦИИ - часть 2


Вместе с отмеченными достоинствами микросхемы повышенного уровня интеграции имеют целый ряд особенностей, которые ослож­няют их разработку, изготовление и применение. Например воз­растание удельной рассеиваемой мощности при увеличении степени интеграции требует принятия специальных мер по обеспечению теп-лоотвода, а при удельной мощности выше 20 Вт/см2 — применения принудительного охлаждения. Важной задачей при этом становится разработка функциональных структур, применение функциональных элементов и режимов, которые давали бы возможность снизить за­траты энергии, приходящейся на одну выполняемую функцию

Повышение степени интеграции в большинстве случаев приво­дит к увеличению сложности функций, выполняемых микросхемой, С одной стороны, это положительный фактор, так как при исполь­зовании более сложных микросхем упрощается проектирование и изготовление аппаратуры. В то же время стоимость ремонта может существенно возрасти. Меньшая универсальность микросхемы повы­шенной степени интеграции ограничивает необходимый объем их выпуска, а следовательно, увеличивает их стоимость. (Последнее не относится к программно-управляемым микросхемам, для которых повышение степени интеграции не уменьшает универсальности.)

При повышении плотности упаковки усиливается электромагнит­ная связь между элементами за счет близкого расположения межсоединений и самих элементов, что приводит к понижению помехо­устойчивости микросхем. Появляются значительные трудности при изготовлении малых по размерам корпусов с большим количеством выводов, что существенно сдерживает увеличение степени инте­грации.

Тем не менее повышение уровня интеграции микросхем являет­ся прогрессивным направлением их развития, направлением, которое помогает существенно улучшить как функциональные, так и эксплуа­тационные показатели РЭЛ.

Существует два направления в разработке микросхем повышен­ного уровня интеграции. Одно из них базируется на гибридной тех­нологии, использующей бескорпусные микросхемы малой степени интеграции и пленочную технологию их соединения на диэлектри­ческой подложке.


Начало  Назад  Вперед