Наряду с функционально полными сериями микросхем для РЭА промышленность выпускает ограниченные по составу серии для отдельных трактов или узлов. Это серии К123, К129, К148 К167 К177, К198, К226, К260, К265, К284, К504.
Серия К123 объединяет три модификации микросхемы К123УН1. Полоса пропускания усилителей НЧ, выполненных на основе этой микросхемы, составляет 0,02 — 100 кГц. На частоте 1 кГц при выходном напряжении 0,5 В микросхемы модификаций А, Б, В имеют соответственно коэффициент усиления 300 — 500 100 — 350 и 30 — 500. При этом коэффициент нелинейных искажений у микросхем К123УН1А и К123УН1Б не более 2 %, а у микросхемы К123УН1В не более 5%. Входное сопротивление 10 кОм, выходное сопротивление 200 Ом. Напряжение питания 6,3 В ±10%, потребляемая мощность не более 100 мВт.
Серия К129 состоит из микросхем, являющихся наборами биполярных транзисторов.
Восемь модификаций бескорпусной микросхемы К129НТ1 представляют собой пары идентичных n-р-n транзисторов и используются в качестве активных элементов в широкополосных балансных схемах, например в дифференциальных или операционных усилителях. По коэффициенту передачи тока транзисторы подразделяются на четыре группы (20 — 80, 40 — 160, 60 — 180 и более 80), а по разности прямых падений напряжения эмиттер — база на две группы. Максимальное напряжение коллектор — база не более 15 В, обратный ток коллектора не более 200 нА. Допустимая рассеиваемая мощность не более 15 мВт.
Шесть модификаций таких же пар транзисторов выпускаются в металлостеклянных корпусах и объединяются в серию К159. Микросхемы этой серии отличаются более высокой допустимой рассеиваемой мощностью (50 мВт).
Серия К148 состоит из двух усилителей мощности НЧ. Усилитель на микросхеме К148УН1 работает в диапазоне 30 — 20000 Гц с коэффициентом усиления напряжения 100 — 200. При выходной мощности 1 Вт коэффициент гармоник не более 2,5%. Напряжение питания ±12 В ±10% или 24 В ±10% при токе потребления не более 25 мА.