МИКРОСХЕМЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ


МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ УСИЛИТЕЛЬНЫХ ТРАКТОВ АППАРАТУРЫ РАДИОСВЯЗИ И РАДИОВЕЩАНИЯ - часть 10


д. На рис. 2.26,г, д приведены примеры схем усилителя НЧ с регулируемым коэффи­циентом усиления и активного фильтра нижних частот. В усили­теле нижняя граничная частота регулируется сопротивлением ре­зистора R* и может быть получена менее 1 Гц. Активный фильтр при показанных на рис. 2.26,5 параметрах резисторов и конденса­торов имеет частоту среза 180 Гц и затухание 26 дБ на октаву.

Микросхема К284УН1 — малошумящий усилитель НЧ с коэф­фициентом усиления напряжения на частоте 200 Гц не менее 100. Нормированная ЭДС шума не более 200 нВ/Гц-2 (для модифи­кации А) и 500 нВ/Гц-2 (для модификации Б).

Напряжения источников питания ±12 В ±10%.

Микросхемы К.284ПУ1 (управляемый преобразователь уровня) я R284KH1 (коммутатор напряжения) дополняют группу усили­тельных микросхем серии.

Кроме применения в усилительных трактах микросхемы серии К284 находят широкое применение при создании активных фильтров.

Серия К504 объединяет две микросхемы малошумящих уси­лителей НЧ на полевых транзисторах с p-каналом (рис. 2.27,а) и четыре микросхемы, представляющие собой согласованные пары таких транзисторов (рис. 2.27,5).

Рис. 2.27. Микросхемы се­рии К504:

а — малошумящий усилитель НЧ; б — согласованная пара полевых транзисторов

Микросхемы К504УН1 и К504УН2 — усилители с высоким входным сопротивлением. Для микросхем модификаций А и Б оно превышает 1 МОм, а для модификации В не менее 0,5 МОм. По-»тому микросхемы целесообразно использовать для усиления сиг­налов высокоомных датчиков.

Диапазон рабочих частот усилительных микросхем 5 — 10000 Гц На частоте 1 кГц коэффициент усиления соответственно для мо­дификаций А, Б и В — 10 — 60, 40 — 120 и 80 — 200. Обе микросхемы на нагрузке 3 кОм могут развивать максимальное выходное на­пряжение не менее 0,5 В. При этом коэффициент нелинейных ис­кажений достигает 10 %.

Важное достоинство обеих усилительных микросхем — сравни­тельно низкий уровень шума. Приведенное ко входу напряжение шума у микросхемы К504УН1 не превышает 3 мкВ, a v микпо-схемы К504УН2-10 мкВ.

Напряжение питания микросхем от — 6 В до —18 В.

Согласованные пары полевых транзисторов предназначены в основном для использования во входных устройствах малошумя­щих дифференциальных и операционных усилителей. Двенадцать модификаций четырех микросхем имеют разную крутизну (от 0,3 мА/В для К504НТ1А до 5 мА/В для К504НТ2В) и разный на­чальный ток стока. Входная и проходная емкости не превышают у микросхем К504НТ1 и К504НТ2 соответственно 6 и 2 пФ. На­пряжение отсечки для всех транзисторов не более 4,5 В, а макси­мальное напряжение сток — исток 10 В ±10%. Коэффициент шума не более 2 дБ. Граничная частота усиления по мощности для всей совокупности модификаций составляет от 25 до 350 МГц.




Начало  Назад  Вперед