7. Тип технологии. Как и для микросхем стандартных серий, рассмотренных в гл. 4, во многом возможности МП БИС определяются технологией их изготовления. Знание этого фактора помогает оперативно разобраться в вопросах, касающихся электрических параметров МП, возможности их улучшения, перспективности, совместимости с микросхемами стандартных серий, особенностей применения.
Комплекты МП БИС изготавливают на основе наиболее перспективных технологических методов, за которыми традиционно установились названия реализуемых логических структур: ТТЛШ, ЭСЛ, ИИЛ, КМДП, л-МДП.
Технология л-МДП, пришедшая на смену р-МДП технологии, позволяет увеличить вдвое уровень интеграции и в 5 раз повысить быстродействие микросхем. По этой технологии возможна реализация МП с одним источником питания. В настоящее время л-МДП технология широко развивается и оценивается как перспективная.
Технология КМДП получает широкое распространение благодаря, прежде всего, возможности существенно, на 2 — 3 порядка, снизить потребляемую микросхемами статическую мощность, обеспечить высокую плотность размещения элементов в кристалле и сравнительно высокое быстродействие микросхем. Для работы микросхемы требуют одного источника питания с большим диапазоном допустимых значений напряжения.
Для изготовления МП БИС применяется также технология ТТЛШ и технология ИИЛ. Первая позволяет получить наиболее
быстродействующие МП при сравнительно небольшой потребляемой мощности. Технология И ИЛ позволяет за счет значительного снижения потребляемой мощности повысить уровень интеграции и на этой основе успешно решить задачу создания сложных МП вычислительных средств на одном кристалле с достаточно высоким быстродействием. Микропроцессорные БИС с инжекционным питанием, благодаря использованию в их оконечных узлах ТТЛШ элементов, оказываются совместимы с микросхемами ТТЛ и ТТЛШ.
Перспективы повышения быстродействия МП связаны с ЭСЛ технологией, которая позволяет получить МП с тактовыми частотами десятки (серия К1800) и сотни мегагерц.