ЛОГИЧЕСКИЕ МИКРОСХЕМЫ - часть 4
В варианте ДТЛ элемента, показанном на рис. 4.4,6 (базовый элемент для микросхем серий 109, 121, 156 и др.), вместо одного из смещающих диодов используется транзистор Т2, усиливающий ток, включающий выходной транзистор Т1. В результате использования дополнительного транзистора удается уменьшить требуемое значение напряжения E1 до 5 В и снизить требования к усилению выходного транзистора, что способствует увеличению выхода годных схем при их изготовлении.
Другая особенность элемента — наличие диода между базой выходного транзистора и входными диодами. Этот диод, называемый ускоряющим, постоянно закрыт и играет роль конденсатора. Емкостью конденсатора является емкость электронно-дырочного перехода этого диода. Благодаря ей ускоряется включение выходного транзистора и его выключение, так как на этапе включения емкость способствует более быстрому пропусканию тока в базу транзистора, а при выключении создает дополнительный выключающий ток за счет накопленного ею заряда.
Существенный недостаток рассмотренных элементов заключается в том, что они имеют большое выходное сопротивление в закрытом состоянии, поскольку коллекторное сопротивление выходного транзистора составляет обычно тысячи ом. Это уменьшает ток, отдаваемый в нагрузку, и, как следствие, увеличивает время заряда емкости на выходе элемента.
Базовые элементы ТТЛ строят по тому же принципу, что и элементы ДТЛ, но вместо диодной сборки применяют многоэмит-терный транзистор, называемый так потому, что у него в базе сформировано несколько (обычно от 2 до 8) эмиттерных областей. Обычно ТТЛ элементы имеют сложный инвертор. Один из типичных вариантов построения элементов рассматриваемого типа приведен на рис. 4.5,а, где показан элемент с возможностью расширения по ИЛИ. Эта возможность реализуется при подключении расширителя (рис. 4.5,6).
Элемент ТТЛ работает следующим образом. Когда на все входы многоэмиттерного транзистора ti (рис. 4.5,а) поданы сигналы 1 все эмиттерные переходы входного транзистора закрыты, и ток от источника через резистор Ri и открытый коллекторный переход транзистора ti поступает в базу транзистора Т2 и открывает его до насыщения.